明年将是iPhone的十周年，业内人士纷纷预测明年的iPhone8将会有大的改变及提升，除了提升性能配置，还可能带来曲面屏的全新设计，现在有微博网友爆料，苹果正在测试512GB QLC闪存，所以明年的iPhone8可能将配备512GB的闪存。

iPhone8概念图

目前的闪存架构有四种，SLC、MLC、TLC、QLC。SLC：Single-Level Cell(单层单元)，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(其价格约为MLC的3倍以上)，约10万次擦写寿命。MLC：Multi-Level Cell(双层单元)，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，大约3000到10000次擦写寿命。

常见的闪存架构

TLC：Trinary Level Cell，是固态NAND快闪存储器的一种，价格便宜，它的数据存储量是SLC存储器的3倍，是MLC存储器的1.5倍，但TLC仅有约1000次擦写寿命。QLC即4bit/cell，速度最慢寿命最短，价格最便宜。如果iPhone8采用QLC架构的闪存，在使用上不会有太好的使用体验。

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