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曝iPhone8或配备512GB闪存 还有曲面屏

2016-12-14 23:49 作者:性价比高的智能手机 来源:智能手机排行榜 次阅读

明年将是iPhone的十周年,业内人士纷纷预测明年的iPhone8将会有大的改变及提升,除了提升性能配置,还可能带来曲面屏的全新设计,现在有微博网友爆料,苹果正在测试512GB QLC闪存,所以明年的iPhone8可能将配备512GB的闪存。


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iPhone8概念图

目前的闪存架构有四种,SLC、MLC、TLC、QLC。SLC:Single-Level Cell(单层单元),即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(其价格约为MLC的3倍以上),约10万次擦写寿命。MLC:Multi-Level Cell(双层单元),即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,大约3000到10000次擦写寿命。


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常见的闪存架构

TLC:Trinary Level Cell,是固态NAND快闪存储器的一种,价格便宜,它的数据存储量是SLC存储器的3倍,是MLC存储器的1.5倍,但TLC仅有约1000次擦写寿命。QLC即4bit/cell,速度最慢寿命最短,价格最便宜。如果iPhone8采用QLC架构的闪存,在使用上不会有太好的使用体验。


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